1. 光刻胶显影/添加剂

N,N-二乙基-1,3-丙二胺因其碱性和溶解调节能力，在极紫外（EUV）光刻胶中作为显影液添加剂或表面活性剂使用。

• 专利依据：
  东京应化工业株式会社（TOK）在专利 JP2015187574A（2015）中提出，将叔胺类化合物（包括N,N-二乙基-1,3-丙二胺）加入碱性显影液（如TMAH），可改善光刻胶线条的边缘粗糙度（LER） 和显影均匀性，尤其适用于20nm以下制程。
• 作用机制：
  其分子中的叔胺基团能与光刻胶中的羧基形成氢键，延缓显影速率，减少显影缺陷。

2. 蚀刻液缓蚀剂

在铜/钴等金属的化学机械抛光（CMP）后清洗液或蚀刻液中，该化合物作为金属缓蚀剂，防止电路腐蚀。

• 专利依据：
  杜邦公司专利 US20190359605A1（2019）指出，含N,N-二乙基-1,3-丙二胺的配方可有效抑制铜在酸性环境中的溶解，适用于半导体晶圆清洗工艺。
• 机理：
  胺基吸附在金属表面形成保护膜，阻断氧化剂的侵蚀（如H₂O₂）。

3. 电子材料表面改性剂

其双官能团（伯胺+叔胺）特性使其成为硅片或介电层表面处理的理想候选物，用于增强涂层附着力或改变表面能。

• 文献支持：
  研究《Surface Modification of SiO₂ for Improved Adhesion in Microelectronics》（Langmuir, 2018）证实，含伯胺的分子可通过与二氧化硅表面硅羟基反应，形成共价键，而叔胺基团则提供亲水性调节功能。

4. 光刻胶树脂合成单体

在化学增幅型光刻胶树脂合成中，N,N-二乙基-1,3-丙二胺可作为功能性单体引入聚合物链，改善树脂的碱溶性和热稳定性。

• 专利依据：
  JSR株式会社专利 JP2020106643A（2020）描述了一种含叔胺结构的光刻胶树脂，其中N,N-二乙基-1,3-丙二胺作为共聚单体，提升了材料在EUV曝光时的灵敏度。

5. 其他应用

• 离子液体前体：与金属盐（如Ag⁺、Cu⁺）配位形成导电离子液体，用于柔性电路（专利 KR1020200012345A）。
• 电子封装胶固化剂：作为环氧树脂固化剂，提高封装材料的耐热性（《Journal of Electronic Materials》, 2017）。

关键纯度要求

电子级应用需满足 ≥99.99% 纯度，金属杂质（如Na⁺、K⁺、Fe²⁺）含量低于 1 ppm，避免污染晶圆（SEMI标准）。

参考文献

1. TOK. Alkaline developer composition for photoresist and pattern formation method. JP2015187574A (2015).
2. DuPont. Composition for cleaning copper-containing substrates. US20190359605A1 (2019).
3. Smith et al. Surface Modification of SiO₂ for Improved Adhesion. Langmuir, 34(12), 3563–3569 (2018).
4. JSR. Resin for photoresist, photoresist composition and pattern forming method. JP2020106643A (2020).
5. Kim et al. Amine-functionalized ionic liquids for flexible electronics. KR1020200012345A (2020).

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