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化学名称:N,N-二甲基癸酰胺
CAS号:14433-76-2
分子式:C₁₂H₂₅NO
结构式:CH₃(CH₂)₈C(O)N(CH₃)₂
DMDA 是光刻胶剥离剂和半导体清洗剂的关键组分,可高效溶解聚酰亚胺树脂而不损伤硅基底。
专利依据:
东京应化工业专利(JP2011253821A)证实,含DMDA的剥离液对ArF光刻胶的清除率>99%,且铜线腐蚀率<0.1 nm/min。
三星电子专利(KR1020150078099A)将其用于OLED面板制造中的聚酰胺酸脱膜工艺,效率提升40%。
调控电极界面成膜,提升锂离子电池循环寿命。
文献支持:
《Journal of Power Sources》(2020)研究显示,添加1% DMDA的LiPF₆电解液可使NCM811电池在4.4V高电压下循环500次后容量保持率达91.3%(DOI:10.1016/j.jpowsour.2020.228183)。
作为绿色溶剂替代毒性较高的DMF/DMAc。
工业实例:
先正达专利(WO2019121792A1)采用DMDA合成吡唑醚菌酯,反应收率提高12%且溶剂残留符合FDA标准。
《Organic Process Research & Development》(2019)报道其在抗癌药Venetoclax合成中减少异构体副产物生成(DOI:10.1021/acs.oprd.8b00417)。
对稀土、钯等贵金属具有选择性萃取能力。
技术验证:
中科院专利(CN110564978A)开发DMDA-磷酸三丁酯复合体系,从废旧催化剂中回收钯的纯度>99.95%,萃取率≥98%。
上海博昀新材料有限公司
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N,N-二甲基癸酰胺凭借其独特溶解性、低毒性与高热稳定性,已成为电子化学品与绿色合成的关键材料。上海博昀新材料有限公司通过垂直整合的癸酸原料供应链与精馏纯化技术,为全球客户提供高一致性、低金属残留的DMDA产品。
数据来源:美国化学会(ACS)、欧洲专利局(EPO)、中国知网(CNKI),更新至2024年公开文献。